ランプミリング
ランプミリングは、固体の凹状の空洞または穴をミリングする効果的な方法です。図 6-6 は、ランプミリングの概略図です。ランプミリングでは、カッターが垂直のカッター軸の方向に移動しながら、カッターが自身の軸に沿って下に移動します。2 つの軌跡は、移動軌跡と従来のミリング平面の間に E 角を形成します。
フライスカッターのランプミリングの最大切削深さは、インサートのサイズに関係しています。図のように、必要な切削深さが a の値を超える場合は、まずエンドミルで a の値に等しい深さまで切削し、次に a-0 度の角度で平面を完成させます。この平面が完成したら、次のループに再び入ります。ランプの E 角度は、カッターの背面角度によって影響を受けます。このカッターの逃げ角は、カッター本体の角度とカッターインサートの角度が組み合わされた角度です。一般に、フラットマウントのネガティブインサートフライスカッターのほとんどは傾斜ミリングができず、傾斜ミリングに推奨されるもののほとんどは、15 度の逃げ角のインサートや 20 度の逃げ角のインサートなど、逃げ角が大きいインサートです。これは、大きいインサートを使用すると、フライスカッターの合成逃げ角が比較的大きくなるためです。経験則として、ランプミリングの許容 E 角度は、カッターの逃げ角より少なくとも 2 度小さくする必要があります。
